晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經1050℃固溶處理后,在強氧化介質中也會發生晶間腐蝕。這時,鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明,當p雜質達到100ppm或Si雜質達到1000 ~ 2000ppm時,它們會在高溫區晶界處吸附分離。這些雜質在強氧化劑介質的作用下會溶解,在晶界處產生選擇性晶間腐蝕。該鋼經敏化處理后不會出現晶間腐蝕,因為碳和磷形成了磷碳化物,限制了磷向晶界的擴散,降低了雜質在晶界的偏析,消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質,或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同,在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極,晶界為陰極,晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
不銹鋼在酸性介質中存在嚴重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。